* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, STMicroelectronics
A Silicon Carbide (SiC) diode is an ultra-high performance power Schottky rectifier.
• No or negligible reverse recovery
• Switching behaviour independent of temperature
• Dedicated to PFC applications
• High forward surge capability
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STPSC10H12 SiC 10A Diode datasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
2
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальное падение прямого напряжения:
2.25В
Максимальный постоянный прямой ток:
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
1200В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип выпрямителя:
Schottky Diode
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220AC
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |