* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
BSM120D12P2C005, SiC Power ModuleESD Control Selection Guide V1Высота:
17мм
Длина:
122мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
935 Вт
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
BSM
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
C
Ширина:
45.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |