Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V, 4-Pin C ROHM BSM300D12P2E001, МОП-транзистор

1442260
Номер производителя: BSM300D12P2E001Производитель: ROHM
Цена за шт.
269545.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

SiC Power Modules, ROHM

The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature

Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

Техническая спецификация
pdfBSM300D12P2E001 Datasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
17мм
Длина:
152мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1875 Вт
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
300 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
BSM
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
C
Ширина:
57.95мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию