* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET P-Channel, TJ9A Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TJ9A10M3 P-channel MOSFET DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
15мм
Длина:
10мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
19 Вт
Максимальное напряжение входа:
+20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
170 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220SIS
Типичный заряд затвора при Vgs:
47 при -10 В нКл
Ширина:
4.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |