* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TTD1409B NPN Darlington Transistor DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
15мм
Длина:
10мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
2.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт при 25 °C
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
600 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
400 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
6 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
20мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
100
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10 x 4.5 x 15мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-220SIS
Ток базы:
1A
Ширина:
4.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |