Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Toshiba TTD1415B,S4X(S Dual PNP Darlington Transistor, 7 A 100 V HFE:1000, 3-Pin TO-220SIS

1445248
Номер производителя: TTD1415B,S4X(SПроизводитель: Toshiba
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
191.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

NPN Darlington Transistors, Toshiba

Bipolar Transistors, Toshiba

Техническая спецификация
pdfTTD1415B NPN Darlington Transistor Datasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
15мм
Длина:
100мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
2 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт при 25 °C
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
7 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
2мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
1000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
10 x 4.5 x 15мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
TO-220SIS
Ток базы:
0.7A
Ширина:
4.5мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию