* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET P-Channel, SSM3J Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
SSM3J334R P-channel MOSFET DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.8мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение входа:
+20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
136 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
5.9 nC @ -10 V nC
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |