* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Low RDS(ON) and QgFast body diodedv/dt ruggednessAvalanche ratedLow package inductanceInternational standard packagesResonant mode power suppliesHigh intensity discharge (HID) lamp ballastAC and DC motor drivesDC-DC convertersRobotic and servo controlBattery chargers3-level solar invertersLED lightingUnmanned Aerial Vehicles (UAVs)Higher efficiencyHigh power densityEasy to mountSpace savings
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
IXFN170N65X2
Channel Type
Высота:
9.6mm
Длина:
38.23mm
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.17 kW
Максимальное напряжение входа:
±30 V
Максимальное напряжение стока источника:
650 V
Максимальное пороговое напряжение:
5V
Максимальное сопротивление стока источника:
13 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
170 A
Минимальное пороговое напряжение:
3.5V
Прямое напряжение диода:
1.4V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
SOT227
Типичный заряд затвора при Vgs:
434 @ 10 V nC
Ширина:
25.07mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |