Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH60N65X2, МОП-транзистор

1464372
Номер производителя: IXFH60N65X2Производитель: IXYS
Цена за шт.
3195.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series

The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.

Very low RDS(on) and QG (gate charge)
Fast intrinsic rectifier diode
Low intrinsic gate resistance
Low package inductance
Industry standard packages

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Техническая спецификация
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
21.34мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
780 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
52 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
60 A
Минимальное пороговое напряжение:
3.5В
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
108 нКл при 10 В
Ширина:
5.21мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию