* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Low RDS(ON) and Qg
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
Resonant mode power supplies
High intensity discharge (HID) lamp ballast
AC and DC motor drives
DC-DC converters
Robotic and servo control
Battery chargers
3-level solar inverters
LED lighting
Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)
Higher efficiency
High power density
Easy to mount
Space savings
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
5.1мм
Длина:
16.05мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
780 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
52 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
60 A
Минимальное пороговое напряжение:
3.5В
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-268HV
Типичный заряд затвора при Vgs:
108 нКл при 10 В
Ширина:
15.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |