Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 80 A, 250 V, 3-Pin D2PAK IXYS IXFA80N25X3, МОП-транзистор

1464403
Номер производителя: IXFA80N25X3Производитель: IXYS
Цена за шт.
2740.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Lowest on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg
Fast soft recovery body diode dv/dt ruggedness
Superior avalanche capability
International standard packages
Battery chargers for light electric vehicles
Synchronous rectification in switching power supplies
Motor control
DC-DC converters
Uninterruptible power supplies
Electric forklifts
Class-D audio amplifiers
Telecom systems
High efficiency
High power density
Improved system reliability
Easy to design in

200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv core
Dual Panel Flash for live update support
12-bit, 18 MSPS, 45-channel ADC module
Memory Management Unit for optimum embedded OS execution
microMIPS mode for up to 35% code compression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI & Analog Comparators
SPI/I2S interfaces for audio processing and playback
Hi-Speed USB Device/Host/OTG
10/100 Mbps Ethernet MAC with MII and RMII interface
Advanced Memory Protection
2MB Flash memory (plus an additional 160 KB of Boot Flash)
640KB SRAM memory

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
4.83мм
Длина:
10.41мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
390 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
16 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
80 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
83 при 10 В нКл
Ширина:
11.05мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию