* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMTH6016LSD, 60V +175°C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1.5мм
Длина:
4.95мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.4 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
28 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
7.6 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
DMT
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичный заряд затвора при Vgs:
17 при 10 В нКл
Ширина:
3.95мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |