* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages, Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range, part of our massive MOSFET device portfolio. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).
60 V, single N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protected
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1060 мВт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
9.2 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
170 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SC-70, SOT323
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.33 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |