* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
80 V, single N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
AEC-Q101 qualified
DatasheetESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
0.65мм
Длина:
2.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
15.6 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
80 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.7В
Максимальное сопротивление стока источника:
202 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4.1 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN2020
Типичный заряд затвора при Vgs:
9.9 nC @ 4 V
Ширина:
2.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |