* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor, PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60610NY
High thermal power dissipation capability
High temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified.
DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
85 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-8 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-10 A
Минимальное усиление постоянного тока:
120
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Размеры:
5 x 4.1 x 1.05мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
LFPAK56, SOT669
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |