* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel TrenchMOS logic level FET, Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
AEC Q101 compliant
Low conduction losses due to low on-state resistance
Suitable for logic level gate drive sources
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
12 V loads
Automotive systems
General purpose power switching
Motors, lamps and solenoids
DatasheetESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
4.5мм
Длина:
10.3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
254 Вт
Максимальное напряжение входа:
15 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
8.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
75 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
64 нКл при 10 В
Ширина:
9.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |