* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel TrenchMOS standard level FET, Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.
Low conduction losses due to low on-state resistance
Q101 compliant
Suitable for standard level gate drive sources
Suitable for thermally demanding environments due to 185 °C rating
12 V loads
Automotive systems
General purpose power switching
Motors, lamps and solenoids
DatasheetESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
2.38мм
Длина:
6.73мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
167 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.4В
Максимальное сопротивление стока источника:
15.6 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
75 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.9В
Рабочая температура - максимальная:
+185 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
35 нКл при 10 В
Ширина:
6.22мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |