Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2302DDS-T1-GE3, МОП-транзистор

1526358
Номер производителя: SI2302DDS-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
132.60 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Halogen-free
TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg Tested
APPLICATIONS
Load Switching for Portable Devices
DC/DC Converter

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.02мм
Длина:
3.04мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
0.71 Вт
Максимальное напряжение входа:
±8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.85В
Максимальное сопротивление стока источника:
75 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.6 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию