* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
60V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Logic level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
AEC-Q101 qualified
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
DatasheetESD Control Selection Guide V1Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Высота:
1мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.45 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.7В
Максимальное сопротивление стока источника:
222 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT23, TO-236AB
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.9 нКл при 10 В
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |