* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs, R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm, 800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistors (RET) family in small plastic packages.
800 mA output current capability
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High current gain hFE
Reduces component count
Built-in bias resistors
Reduces pick and place costs
Simplifies circuit design
+-10 pct resistor ratio tolerance
AEC-Q101 qualified
Digital application in automotive and industrial segments
Switching loads
Medium current peripheral driver
DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
570 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
40 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
600 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
3 x 1.4 x 1мм
Сопротивление база-эмиттер:
2.2кОм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-23 (TO-236AB)
Типичное входное сопротивление:
2.2 кОм
Типичное отношение резисторов:
1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |