* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN/PNP resistor-equipped transistors, R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ, NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
100 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduces pick and place costs
AEC-Q101 qualified
Low current peripheral driver
Control of IC inputs
Replaces general-purpose transistors in digital applications
DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
100 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.7 x 1.3 x 0.6мм
Сопротивление база-эмиттер:
47кОм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN/PNP
Тип упаковки:
SOT-666
Типичное входное сопротивление:
4.7 кОм
Типичное отношение резисторов:
10
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |