* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
60 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor, PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4360Z.
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified
DC-to-DC conversion
Supply line switching
Battery charger
LCD backlighting
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
130 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.35 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-60 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-60 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-3 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
150
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-223 (SC-73)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |