Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

MJ11012G Transistor Type, onsemi MJ11012G Dual NPN Darlington Transistor, 30 A 60 V HFE:200, 2-Pin TO-204AA

1630033
Производитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 100 шт)
1373.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
MJ11012G Transistor Type
Высота:
8.51mm
Количество контактов:
2
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
5 V
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 W
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 V
Максимальное напряжение коллектор-база:
60 V
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 V
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 V
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
21.08 (Dia.) x 8.51mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-204AA
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию