* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to their strip layout and improved vertical structure, these devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS ) profile
100% avalanche tested
Zener-protected
Extremely low Qg for increased efficiency
Optimized gate charge and capacitance profiles for resonant power supplies (LLC converters)
Datasheet1646960_DataSheet 1ESD Control Selection Guide V1Высота:
9.3мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
170 Вт
Максимальное напряжение входа:
+25 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
150 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
22 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STI28
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
36 нКл при 10 В
Ширина:
4.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |