Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 72 mA, 350 V Depletion, 3-Pin SOT-23 Microchip DN3135K1-G, МОП-транзистор

1656450
Номер производителя: DN3135K1-GПроизводитель: Microchip
Цена за шт. (норма упаковки 25 шт)
179.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors

The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.

Features

High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

Typical Applications

Normally-on switches
Solid state relays
Converters
Linear amplifiers
Constant current sources
Power supply circuits
Telecoms

DN3135 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

MOSFET Transistors, Microchip

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.02мм
Длина:
3.04мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
360 мВт
Максимальное напряжение входа:
-3.5 В
Максимальное напряжение стока источника:
350 В
Максимальное сопротивление стока источника:
35 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
72 мА
Прямое напряжение диода:
1.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Depletion
Серия:
DN3135
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Ширина:
1.4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию