Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

2N7002DW Channel Type, Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) onsemi 2N7002DW

1661841
Производитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 3000 шт)
29.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
The 2N7002DW is a Dual N-channel general purpose MOSFET. It features low-on resistance and low gate threshold voltage. It also features fast switching speed and is available in an ultra-small surface mount package. This Dual N-channel MOSFET is typically used in all general purpose applications, but it is commonly used in motor controls and PMF s (Power Management Functions).
Features and benefits: /
\tDual N-Channel \tLow on resistance \tLow gate threshold \tFast switching speed \tLow input \u0026 output leak
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (250V) and low-voltage (250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

2N7002DW, N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
2N7002DW Channel Type
Высота:
1mm
Длина:
2mm
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Isolated
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 mW
Максимальное напряжение входа:
-20 V, +20 V
Максимальное напряжение стока источника:
60 V
Максимальное сопротивление стока источника:
13.5 Ω
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
115 mA
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
SOT-363 (SC-70)
Ширина:
1.25mm
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию