* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
IXFN360N15T2
Channel Type
Высота:
9.6mm
Длина:
38.23mm
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.07 kW
Максимальное напряжение входа:
-20 V, +20 V
Максимальное напряжение стока источника:
150 V
Максимальное пороговое напряжение:
5V
Максимальное сопротивление стока источника:
4 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
310 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5V
Прямое напряжение диода:
1.2V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
GigaMOS TrenchT2 HiperFET
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
SOT-227
Типичный заряд затвора при Vgs:
715 nC @ 10 V
Ширина:
25.07mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |