* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
IXFB110N60P3
Channel Type
Высота:
26.59mm
Длина:
20.29mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.89 kW
Максимальное напряжение входа:
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение стока источника:
600 V
Максимальное пороговое напряжение:
5V
Максимальное сопротивление стока источника:
56 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
110 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET, Polar3
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
PLUS264
Типичный заряд затвора при Vgs:
245 nC @ 10 V
Ширина:
5.31mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |