Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

IXFA22N65X2 Channel Type, N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin D2PAK IXYS IXFA22N65X2

1684819
Производитель: IXYS
Цена за шт. (норма упаковки 50 шт)
1520.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel Power MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 Series
The IXYS X2 class HiPerFET Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an enhanced high-speed intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
Very low RDS(on) and QG (gate charge)Fast intrinsic rectifier diodeLow intrinsic gate resistanceLow package inductanceIndustry standard packages
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

N-ch X2-Class HiPerFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
IXFA22N65X2 Channel Type
Высота:
4.83mm
Длина:
10.41mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
390 W
Максимальное напряжение входа:
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение стока источника:
650 V
Максимальное пороговое напряжение:
5V
Максимальное сопротивление стока источника:
145 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
22 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.7V
Прямое напряжение диода:
1.4V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET, X2-Class
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
37 nC @ 10 V
Ширина:
11.05mm
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию