* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technologyMinimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature rangeNew low-impedance package with driver source8 mm of creepage/clearance between Drain and SourceHigh-speed switching with low output capacitanceHigh blocking voltage with low Drain-Source On-State ResistanceAvalanche ruggednessFast intrinsic diode with low Reverse Recovery
MOSFET Transistors, Cree Inc.
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
C3M0065100K
Channel Type
Высота:
23.6mm
Длина:
16.13mm
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
113.5 W
Максимальное напряжение входа:
-8 V, +19 V
Максимальное напряжение стока источника:
1000 V
Максимальное пороговое напряжение:
3.5V
Максимальное сопротивление стока источника:
90 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
35 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.8V
Прямое напряжение диода:
4.8V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
C3M
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V
Ширина:
5.21mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |