* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
MDF9N50BTH
Channel Type
Высота:
16.13mm
Длина:
10.71mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
38 W
Максимальное напряжение входа:
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение стока источника:
500 V
Максимальное пороговое напряжение:
4V
Максимальное сопротивление стока источника:
850 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.4V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-220F
Типичный заряд затвора при Vgs:
15.7 nC @ 10 V
Ширина:
4.93mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |