* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
Low threshold voltage
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.45 Вт
Максимальное напряжение входа:
10 В
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.3В
Максимальное сопротивление стока источника:
8.1 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
335 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
BSH111BK
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-236
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.5 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |