* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
100 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduces pick and place costs
Target applications
Low current peripheral driver
Control of IC inputs
Replaces general-purpose transistors in digital applications
DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual Base
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
50 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
100 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.2 x 1.35 x 1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN/PNP
Тип упаковки:
SOT-363
Типичное входное сопротивление:
22 кОм
Типичное отношение резисторов:
1
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |