Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon SI4435DYTRPBF, МОП-транзистор

1711913
Номер производителя: SI4435DYTRPBFПроизводитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
253.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

These P-channel HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance persilicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The SO-8 has been modified through a customized lead frame for enhanced thermal characteristics and multiple die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase,infrared, or wave soldering technique.

Benefits:
P-Channel MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet
Высота:
1.5мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
0
Максимальное сопротивление стока источника:
35 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
Si4435DYPbF
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SO-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
40 нКл при 10 В
Типичный коэффициент усиления по мощности:
0
Ширина:
4мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию