Benefits:
Low RDS(on)
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Dual N and P-Channel MOSFET
Техническая спецификацияDatasheetDatasheet
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
55 В
Максимальное сопротивление стока источника:
0.065 Ом, 0.17 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.4 A, 4.7 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
2.3 нКл при 10 В, 24 нКл при 10 В