Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 90 A, 100 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD068N10N3GATMA1, МОП-транзистор

1711939
Номер производителя: IPD068N10N3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
284.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

Infineon MOSFET

The Infineon PG-TO-252-3 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 6.8mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 90A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. It has a maximum power dissipation of 150W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Easy to design products
• Environmentally friendly
• Excellent gate charge x R DS (on) product (FOM)
• Excellent switching performance
• Halogen free
• Highest power density
• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
• Increased efficiency
• Lead (Pb) free plating
• Less paralleling required
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Smallest board space consumption
• Very low Qg and Qgd
• World's lowest RDS (on)

Applications

• Class D audio amplifiers
• Isolated DC-DC converters (telecommunication and data communication systems)
• Motor control for 48V-80V systems (domestic vehicles, power tools, trucks)
• O-ring switches and circuit breakers in 48V systems
• Synchronous rectifier

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet
Высота:
2.41мм
Длина:
6.73мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
12.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
90 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
IPD068N10N3 G
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TO-252
Типичный заряд затвора при Vgs:
51 нКл при 10 В
Ширина:
7.47мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию