Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, МОП-транзистор

1711952
Номер производителя: BSC12DN20NS3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
343.20 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS products are performance leading benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency
Highest power density
Lowest board space consumption
Minimal device paralleling required
System cost improvement

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet
Высота:
1.1мм
Длина:
5.35мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
50 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
125 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11.3 A
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
BSC12DN20NS3 G
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TDSON
Типичный заряд затвора при Vgs:
6.5 нКл при 10 В
Ширина:
6.35мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию