The Infineon BSC035N10NS5 is the 100V OptiMOS 5 power MOSFET optimized for synchronous rectification and ideal for high switching frequency.
Highest system efficiency
Reduced switching and conduction losses
Less paralleling required
Increased power density
Техническая спецификация
DatasheetDatasheet
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
156 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.2В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
70 нКл при 10 В
