Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF-8 Infineon IPT015N10N5ATMA1, МОП-транзистор

1711991
Номер производителя: IPT015N10N5ATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
947.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Infineon MOSFET

The Infineon HSOF-8 surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 1.5mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has continuous drain current of 300A. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 100V. It has a maximum power dissipation of 375W. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. It has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• 100% avalanche tested
• Excellent gate charge x RDS (on) product (FOM)
• Halogen free
• Ideal for high switching frequency
• Lead (Pb) free plating
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Optimized for synchronous rectification
• Output capacitance reduction of up to 44%
• RDS (on) reduction of up to 44%
• Very low on resistance RDS (on)

Applications

• Adapter
• Light electric vehicles
• Low voltage drives
• Server power supplies
• Solar
• Telecom

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC61249-2-21
• JEDEC

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet
Высота:
2.4мм
Длина:
10.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
375 Вт
Максимальное напряжение входа:
20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
2 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
300 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
IPT015N10N5
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOF-8
Типичный заряд затвора при Vgs:
169 нКл при 10 В
Ширина:
10.58мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию