Power Management Switches
DC-DC Converters
175 MOSFET
4.5 V drive
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 65 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V)
RDS(ON) = 51 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V)
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.4 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
92 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.5В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.2 нКл при 4.5 В
