1.5V drive
Low ON-resistance: Ron = 66mΩ (max) (@VGS = 1.5V)
Ron = 43mΩ (max) (@VGS = 1.8V)
Ron = 32mΩ (max) (@VGS = 2.5V)
Ron = 28mΩ (max) (@VGS = 4.0V)
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение входа:
±10 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
5.6 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
250 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.35В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
