* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
High-Speed Switching
ESD(HBM) level 2 kV
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)
RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.9мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.1В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.75 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
400 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1.1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.39 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |