Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
42 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.4 нКл при 4.5 В
Datasheet