* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RQ5H030TN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for switching.
Low on-resistance
Built-in G-S protection diode
Small surface mount package(TSMT3)
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.95мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
95 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RQ5H030TN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSMT-3
Типичный заряд затвора при Vgs:
6.2 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |