* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RQ3E180AJ is MOSFET for switching application that features Low on-resistance.
Low on - resistance.
Small Surface Mount Package.
Pb-free lead plating.
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.85мм
Длина:
3.3мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
30 Вт
Максимальное напряжение входа:
±12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
5.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RQ3E180AJ
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSMT
Типичный заряд затвора при Vgs:
39 нКл при 4.5 В
Ширина:
3.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |