* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
4Ｖ-drive type
Nch Middle-power MOSFET
Fast Switching Speed
Small Surface Mount Package
Pb Free
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.6мм
Длина:
5.2мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5 (N Канал) В, 2.5 (P Канал) В
Максимальное сопротивление стока источника:
92 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6 A
Минимальное пороговое напряжение:
1 (N Канал) В, 1 (P Канал) В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SH8M24GZE
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOP
Типичный заряд затвора при Vgs:
13 nC @ 5 V (P Channel), 6.8 nC @ 5 V (N Channel)
Ширина:
4.05мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |