* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RD3G500GN is the low on - resistance MOSFET for switching application.
Low on - resistance
High power package (TO-252)
Pb-free lead plating
Halogen free
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
2.3мм
Длина:
6.8мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
35 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
6.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
50 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RD3G500GN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
31 нКл при 10 В
Ширина:
6.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |