RD3H080SP is a Power MOSFET with Low on - resistance., suitable for Switching.
Low on-resistance.
Fast switching speed.
Drive circuits can be simple.
Parallel use is easy.
Pb-free plating
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
15 Вт
Максимальное напряжение входа:
±20 В
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
147 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
8 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
9 нКл при 5 В
