R6020KNX is Low on-resistance and ultra fast switching speed Power MOSFET.
Low on-resistance.
Ultra fast switching speed.
Parallel use is easy.
Pb-free lead plating.
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
68 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
360 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
40 нКл при 10 В
