* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low on-resistance.
Fast switching speed.
Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
Drive circuits can be simple.
Parallel use is easy.
Pb-free lead plating
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
4.7мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
245 Вт
Максимальное напряжение входа:
±30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
320 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
24 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
R6024ENJ
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
70 нКл при 10 В
Ширина:
9.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |